TechPowerUp 報道稱：在 3 月 21 - 24 日舉辦的英偉達 GPU 技術大會上，SK 海力士介紹了該公司最新研發(fā)的 HBM3 高帶寬顯存。作為 SK 海力士的第四代 HBM 產(chǎn)品，其在每個堆棧上使用了超過 8000 個硅通孔（TSV）。算上從 HBM2E 時代的 8-Hi 提升到 HBM3 的 12-Hi 堆棧，TSV 總數(shù)就超過了 10 萬的級別。

　　視頻截圖（來自：SK Hynix）

　　在“完全堆疊”狀態(tài)下，HBM3 高帶寬顯存可輕松達成 24GB 的容量，輔以較 HBM2E 翻倍的 16 通道架構 @ 6.4 Gbps 頻率。

　　作為目前業(yè)內(nèi)最為領先的高帶寬顯存產(chǎn)品，其有望進一步加速我們的數(shù)字生活體驗 —— 比如近年來大熱的 L4 / L5 級別的自動駕駛汽車系統(tǒng)。

　　此外隨著數(shù)字化加速推動高性能計算（HPC）、人工智能（AI）、機器學習（ML）、以及高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）市場的增長，HBM3 有望在這一轉(zhuǎn)型過程中發(fā)揮更大的作用。

　　顯然，HBM3 不僅是一款高性能產(chǎn)品，還有望化解全球數(shù)據(jù)中心面臨的共同問題 —— 目前服務器內(nèi)存的功耗開銷，約占總體的 20% 左右。預計到 2025 年，還可進一步上升至 35% 。

　　若順利向 HBM3 轉(zhuǎn)型，預計我們可到 2030 年將溫室氣體排放減少約 83 萬噸。與此同時，SK Hynix 推出了 Memory Forest 。

　　作為該公司的最新舉措之一，其展示了 SK 海力士致力于保護環(huán)境、創(chuàng)建可持續(xù)和創(chuàng)新的內(nèi)存生態(tài)系統(tǒng)的承諾的決心。