以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、高功率以及抗輻射等特性?？蓮V泛應(yīng)用在高壓、高頻、高溫以及高可靠性等領(lǐng)域?，F(xiàn)如今伴隨新能源多應(yīng)用市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體已成為綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力，幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。

作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌在第三代半導(dǎo)體如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）領(lǐng)域持續(xù)布局，通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張及市場(chǎng)應(yīng)用拓展，為光儲(chǔ)、智能家居、新能源汽車等低碳化趨勢(shì)下的關(guān)鍵行業(yè)提供了高性能的功率半導(dǎo)體解決方案，推動(dòng)了行業(yè)的綠色轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展。

在9日上午的主論壇開場(chǎng)致辭中，英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉表示：“半導(dǎo)體解決方案是實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵，寬禁帶半導(dǎo)體能顯著提升能源效率，推動(dòng)實(shí)現(xiàn)低碳轉(zhuǎn)型。在當(dāng)前綠色低碳化的大背景下，以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體作為新材料和新技術(shù)已開始廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能、快充等多個(gè)領(lǐng)域。作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌憑借持續(xù)的技術(shù)革新與市場(chǎng)布局，在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮著引領(lǐng)作用，致力于滿足經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展對(duì)于更高能效、更環(huán)保的半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。”

在《寬禁帶創(chuàng)新技術(shù)加速低碳化和數(shù)字化》主題演講中，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)營銷負(fù)責(zé)人劉偉和英飛凌科技副總裁、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)營銷負(fù)責(zé)人沈璐分別從市場(chǎng)角度闡述了英飛凌在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。基于在SiC領(lǐng)域的豐厚積累，英飛凌擁有40多年對(duì)SiC工藝制程、封裝和失效機(jī)理的理解，全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠以及業(yè)界最廣泛的SiC產(chǎn)品組合、應(yīng)用市場(chǎng)、客戶群覆蓋。尤其是推出的新一代CoolSiC^TM MOSFET Gen2技術(shù)，與上一代產(chǎn)品相比，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，顯著提升整體能效。在GaN方面，自去年10月完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），目前英飛凌的氮化鎵產(chǎn)品組合包括高壓和中壓的BDS、感測(cè)、驅(qū)動(dòng)和控制系列，可廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器、車載充電器（OBC）、光伏、電機(jī)控制、充電器和適配器等。如在AI服務(wù)器領(lǐng)域，基于AI系統(tǒng)對(duì)更高功率的需求，進(jìn)一步增加了半導(dǎo)體的使用量。

在技術(shù)市場(chǎng)方面，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人陳志豪和英飛凌科技高級(jí)技術(shù)總監(jiān)、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人陳立烽則從技術(shù)應(yīng)用的角度介紹了英飛凌寬禁帶產(chǎn)品如何助力能源效率提升。如Si 、SiC 和GaN三種半導(dǎo)體材料器件的技術(shù)特性對(duì)比，指出雖然硅超級(jí)結(jié)在低開關(guān)頻率中占優(yōu)，但SiC和GaN終將主導(dǎo)新型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和高頻應(yīng)用；結(jié)合CoolSiC?和CoolGaN?的技術(shù)特性及優(yōu)勢(shì)，分別在不同領(lǐng)域的典型應(yīng)用案例，如在公共電源轉(zhuǎn)換（PCS）系統(tǒng)中采用SiC模塊，可實(shí)現(xiàn)>99%的效率，CoolGaN?雙向開關(guān)在微型逆變器中的應(yīng)用等。

在本次展會(huì)中英飛凌不僅通過“2024英飛凌寬禁帶論壇”向與會(huì)者分享了第三代半導(dǎo)體新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果，還在展區(qū)部分展示了最新的半導(dǎo)體功率器件以及解決方案。

在綠色能源與工業(yè)展區(qū)中，英飛凌重點(diǎn)展出的亮點(diǎn)產(chǎn)品和解決方案包括用于光伏發(fā)電的四路2000V 60A MPPT EasyPACK? CoolSiC? MOSFET 3B碳化硅模塊等展品，該模塊可以在簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的同時(shí)，提高功率密度、降低總體成本。

在智能家居展區(qū)中，英飛凌的 “火箭飛船著陸器” 以有趣的互動(dòng)游戲，向觀眾展示了使用英飛凌PSOC? Edge MCU的高性能計(jì)算能力。

在電動(dòng)汽車展區(qū)中，英飛凌進(jìn)行了一系列的技術(shù)演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK? Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)演示，該系統(tǒng)集成了AURIX? TC3xx、第二代1200V SiC HybridPACK? Drive模塊、第三代EiceDRIVER^TM驅(qū)動(dòng)芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等，讓現(xiàn)場(chǎng)觀眾身臨其境地體驗(yàn)并深入了解英飛凌產(chǎn)品的卓越功能、創(chuàng)新特性，及其在緩解電動(dòng)汽車?yán)锍探箲]應(yīng)用中所展現(xiàn)的獨(dú)特價(jià)值。

現(xiàn)如今，英飛凌作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，基于自身在半導(dǎo)體領(lǐng)域扎實(shí)的技術(shù)積累和布局，以及廣泛的市場(chǎng)支撐能力，持續(xù)為行業(yè)發(fā)展注入綠色動(dòng)能，加速行業(yè)低碳化和數(shù)字化的發(fā)展。相信在不遠(yuǎn)的未來，我們能夠擁抱更加便利、安全和環(huán)保的世界，讓我們一起拭目以待。