技術(shù)
導(dǎo)讀:5月16日下午,蘇州和林微納科技股份有限公司 (簡(jiǎn)稱(chēng):和林微納)召開(kāi) 2023 年年度股東大會(huì)。
5月16日下午,蘇州和林微納科技股份有限公司 (簡(jiǎn)稱(chēng):和林微納)召開(kāi) 2023 年年度股東大會(huì)。
和林微納是一家專(zhuān)注微型精密制造的企業(yè),主要從事微型精密電子零組件和元器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,主要產(chǎn)品是半導(dǎo)體芯片測(cè)試探針系列產(chǎn)品及微機(jī)電(MEMS)精微電子零組件。
2023年,和林微納實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入28,574.83萬(wàn)元,較上年同期減少0.93%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)-2,093.91萬(wàn)元,較上年同期減少154.92%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)-3,553.05 萬(wàn)元,較上年同期減少245.6%。
據(jù)和林微納2023年年度報(bào)告指出,報(bào)告期內(nèi),受全球經(jīng)濟(jì)增速下行和整體宏觀經(jīng)濟(jì)及半導(dǎo)體周期變化等因素影響,消費(fèi)電子等終端市場(chǎng)景氣度及需求下降,行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇。面臨艱難的外部環(huán)境,公司多措并舉,繼續(xù)保持高強(qiáng)度研發(fā)投入、持續(xù)豐富和優(yōu)化產(chǎn)品品類(lèi)和結(jié)構(gòu)、不斷開(kāi)拓市場(chǎng)領(lǐng)域和客戶(hù)群體,增加海內(nèi)外市場(chǎng)和研發(fā)人員、增加海外基地建設(shè)等,導(dǎo)致公司研發(fā)費(fèi)用及經(jīng)營(yíng)成本有所增加,從而引起凈利潤(rùn)的下滑。
研發(fā)投入方面,2023年和林微納研發(fā)投入為7,216.86萬(wàn)元,同比提升34.11%,研發(fā)技術(shù)人員同比增加 20.29%。
和林微納年報(bào)指出,報(bào)告期內(nèi),研發(fā)投入合計(jì)較上年同比上升6.6%,主要是聘用的研發(fā)人員人數(shù)以及支付研發(fā)人員的薪酬增加,現(xiàn)有產(chǎn)品改進(jìn)及工藝開(kāi)發(fā)以及新產(chǎn)品 及新工藝開(kāi)發(fā),研發(fā)測(cè)試等服務(wù)費(fèi)增加。
據(jù)悉,和林微納已陸續(xù)在美國(guó)、日本、瑞士、新加坡、菲律賓等布局建設(shè)營(yíng)銷(xiāo)、研發(fā)或制造基地,支撐其海外業(yè)務(wù)拓展及技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)需求。
此外,和林微納年報(bào)指出,2023年市場(chǎng)需求疲軟導(dǎo)致全行業(yè)庫(kù)存高企,銷(xiāo)庫(kù)存成為行業(yè)核心任務(wù)。2023年半導(dǎo)體芯片庫(kù)存量(467萬(wàn)個(gè))庫(kù)存量比上年減少26.36%。
據(jù)介紹,在半導(dǎo)體芯片測(cè)試探針領(lǐng)域,和林微納已經(jīng)成為了眾多國(guó)際知名芯片及半導(dǎo)體封測(cè)廠商的探針供應(yīng)商,是國(guó)內(nèi)同行業(yè)中競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力較強(qiáng)的企業(yè)之一。目前,和林微納已進(jìn)入英偉達(dá)供應(yīng)鏈。
和林微納2023年年度報(bào)告顯示,積極布局高端測(cè)試探針,探針領(lǐng)域新品迭出。和林微納已發(fā)布了直徑30μm的線針,該產(chǎn)品可以根據(jù)客戶(hù)的測(cè)試環(huán)境要求定制,同時(shí)也經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)頭部客戶(hù)的驗(yàn)證,性能可以達(dá)到日本和韓國(guó)同等規(guī)格產(chǎn)品的技術(shù)要求。和林微納將持續(xù)推出新產(chǎn)品,不斷拓寬產(chǎn)品線以適應(yīng)市場(chǎng)需求。
此外,和林微納年報(bào)披露了其核心技術(shù)與研發(fā)進(jìn)展,其中包括,在QFN(方形扁平無(wú)引腳)封裝芯片測(cè)試探針和基座技術(shù)方面,產(chǎn)品的使用壽命由原來(lái)的15萬(wàn)次提高到20萬(wàn)次,將原來(lái)的可實(shí)現(xiàn)30GHz提高到40GHz高頻率工作環(huán)境下測(cè)試電信號(hào)的插損小于1dB;在測(cè)試高速GPU芯片的同軸探針技術(shù)方面,將原來(lái)的可實(shí)現(xiàn)60GHz提高到70GHz帶寬頻率工作環(huán)境下測(cè)試電信號(hào)的插損小1dB。
從發(fā)展戰(zhàn)略角度來(lái)看,和林微納年報(bào)披露,在繼續(xù)保持MEMS精微屏蔽罩及現(xiàn)有半導(dǎo)體測(cè)試探針產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)的同時(shí),公司成功針對(duì)半導(dǎo)體基板測(cè)試線針(替代進(jìn)口)半導(dǎo)體前道晶圓測(cè)試探針卡,后道測(cè)試界面連接系統(tǒng)方案,機(jī)器人微型精密傳動(dòng)系統(tǒng)和微型精密手機(jī)光學(xué)零組件的布局,并在上述環(huán)節(jié)完成了小批量和批量交貨。
注:內(nèi)容參考自和林微納年報(bào)及集微網(wǎng)整理報(bào)道