12 月 22 日，據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議，意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅 MOSFET，支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。

據(jù)介紹，意法半導(dǎo)體的碳化硅具有更高的開(kāi)關(guān)頻率、擊穿電壓和熱阻，可以顯著提高功率晶體管的性能和能效，這些特性在純電車的高電壓環(huán)境中非常重要。理想汽車即將推出的 800V 高壓純電平臺(tái)將在電驅(qū)逆變器中采用意法半導(dǎo)體的第三代 1200V SiC MOSFET 技術(shù)。